彻底自主产权 我国第四代半导体新打破！6英寸氧化镓单晶完成产业化

  杭州镓仁半导体有限公司近来宣告，与浙江大学杭州世界科创中心先进半导体研究院和硅及先进半导体资料全国重点实验室协作，成功研宣布高质量的6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶，并成功加工制作出6英寸氧化镓衬底片。这也使杭州镓仁半导体成为国内首个把握6英寸氧化镓单晶衬备技能的产业化公司。

  氧化镓因其超卓的功能和低本钱制作而十分重视，是第四代半导体资料之一。该资料大多数都用在功率器材、射频器材和探测器，在轨道交通、智能电网、新能源轿车、光伏发电、5G移动通讯和国防军工等范畴具有广泛的使用远景。

  此次研制中选用的铸造法具有许多明显优势。首要，铸造法本钱较低，由于使用了很多贵金属Ir来削减用量和损耗，本钱大幅度下降。其次，铸造法简略易操作可控，工艺流程短效率高且尺度简单扩大。此外，该工艺具有彻底自主知识产权，在我国和美国已取得专利授权，为打破国外技能独占、完成国产化代替奠定了坚实基础。